席忠红
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李海翼
低温物理学报
采用直流磁控溅射的方法，分别在Si（111）和玻璃基片上沉积A1N薄膜．利用X射线衍射仪、X射线能谱仪、台阶仪、原子力显微镜、分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等分析薄膜的结构、组分、膜厚、形貌和光学性能．实验得到的样品为多晶六方相AlN，膜厚为720nm，含有少量的氧杂质．对A1N薄膜的光学性能的研究表明，样品在250-1000nm波长范围内具有较高的透过率；红外吸收谱以672cm。为中心形成一个很宽的红外吸收带；薄膜的禁带宽度约为5．94eV．
关键词:
AlN薄膜
,
磁控溅射
,
光学性能
,
禁带宽度
朱家俊
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周灵平
,
刘新胜
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彭坤
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李德意
,
李绍禄
人工晶体学报
采用单、双靶反应磁控溅射法分别在45钢、GCr15钢、硅(100)和钼衬底上制备了AlN薄膜.X射线衍射和电子显微分析表明,双靶反应磁控溅射沉积的AlN薄膜具有高致密度和低残余应力,同时采用划痕法和压痕法等对AlN薄膜的粘结强度进行测试, 结果表明:双靶反应磁控溅射共沉积AlN薄膜的粘结强度明显比单靶沉积的薄膜高,划痕临界载荷提高0.5～2倍.不同衬底上沉积的AlN薄膜粘结强度存在很大的差别,以钼衬底上沉积的薄膜粘结强度最高,划痕法测得的临界载荷高达64 N;GCr15衬底上AlN薄膜摩擦试验表明,AlN薄膜能明显起到减磨作用.
关键词:
AlN薄膜
,
反应磁控溅射
,
粘结强度
,
共沉积
熊娟
,
顾豪爽
,
胡宽
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吴小鹏
稀有金属材料与工程
采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜.研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N_2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响.用XRD分析了薄膜的择优取向,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌.实验结果表明,靶基距和溅射气压的减小,衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长.氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小,N_2≥50%(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜.经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备.
关键词:
AlN薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
c轴择优取向
,
Mo电极
